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本发明公开了千层金组培快繁工艺，它包括以下步骤：S1、外植体灭菌，S2、启动培养，将灭菌后的外植体切割至2～3cm幼嫩茎段，接种于启动培养基中培养；S3、初代培养，将腋芽切下转移至初代培养基上进行培养；S4、继代培养，将腋芽切下转移至继代培...
该专利属于巴中市光雾山植物研究所所有，仅供学习研究参考，未经过巴中市光雾山植物研究所授权不得商用。

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