温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种光电器件，其包括：活性半导体区域（84），其用于电子-空穴对的辐射复合，以至少一根纳米线的形式制成，所述纳米线由非故意掺杂半导体材料制成；半导体区域（88），其用于空穴到所述或每根纳米线中的径向注入，其由具有第一导电类型和比形成所述纳米...
该专利属于原子能与替代能源委员会所有，仅供学习研究参考，未经过原子能与替代能源委员会授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。