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本发明涉及一种半导体量子点敏化太阳能电池的制造方法，详细地说，本发明的制造方法的特征在于，包括量子点形成步骤：在基板上部形成含有第四族元素及InP的半导体层后，对形成有所述半导体层的基板进行热处理，以去除In（Indium，铟）并形成作为掺...
该专利属于韩国标准科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过韩国标准科学研究院授权不得商用。

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