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提供一种外延膜形成方法，使用该方法可以借助于溅射法生产由第III族氮化物半导体形成的+c-极性外延膜，还提供一种适用于该外延膜形成方法的真空处理设备。例如，溅射法用于在使用加热器(103)加热至任意温度的α-Al2O3基板(107)上外延生...
该专利属于佳能安内华股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佳能安内华股份有限公司授权不得商用。

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