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本发明公开了一种包括Si组合衬底的发光器件,包括组合衬底,其特征在于,该组合衬底包括:单晶硅片;在单晶硅片上有一层非晶氮化硅层,非晶氮化硅层的厚度优选为200~800nm;在非晶氮化硅层上有一层单晶氮化硅薄膜,单晶氮化硅薄膜包括多个周期性排...该专利属于江苏威纳德照明科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏威纳德照明科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种包括Si组合衬底的发光器件,包括组合衬底,其特征在于,该组合衬底包括:单晶硅片;在单晶硅片上有一层非晶氮化硅层,非晶氮化硅层的厚度优选为200~800nm;在非晶氮化硅层上有一层单晶氮化硅薄膜,单晶氮化硅薄膜包括多个周期性排...