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本发明涉及一种剥离制备ITO图形的方法，步骤如下：先蒸镀一层厚度高于ITO层的SiO2层，然后利用光刻胶做掩膜腐蚀出所需的SiO2图形；去胶之后，在SiO2层上蒸镀ITO层，利用SiO2腐蚀液对ITO和SiO2腐蚀速率差距较大将晶片侧壁Si...
该专利属于山东浪潮华光光电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东浪潮华光光电子有限公司授权不得商用。

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