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本发明公开了一种减少窄沟道效应的工艺方法，包括步骤：在衬底上刻蚀出浅槽；在浅槽中依次淀积底部隔离介质、掺杂多晶硅和顶部隔离介质；刻蚀部分掺杂多晶硅；淀积第三隔离介质并将掺杂多晶硅埋于浅沟槽隔离内部；形成金属接触将掺杂多晶硅从浅沟槽隔离内部引...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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