温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体制造领域，公开了一种光刻胶形貌表征方法，测定光刻胶曝光区域侧壁斜率变化的拐点，并根据所述拐点将光刻胶侧壁划分为若干区间，通过测量每一区间顶部线宽、底部线宽及区间深度，计算得到该区间侧壁倾角，拟合各所述区间的侧壁倾角、区间深度...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。