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紫外半导体发光元件制造技术
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文档序号:8369290
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本发明提供一种紫外半导体发光元件,其在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间具有发光层,而且具有与n型氮化物半导体层接触的n电极和与p型氮化物半导体层接触的p电极,p型氮化物半导体层具备带隙比发光层小、与p电极的接触为欧姆接触的p型接触...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
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