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本发明涉及通过加工引发的单轴向应变控制介电薄膜内的铁电性。一种控制集成电路设备部件铁电特性的方法，包括在衬底上成形铁电性可控的介电层；并且紧靠铁电性可控的介电层成形应力施加结构，从而通过应力施加结构在铁电性可控的介电层内引发基本单轴向的应变...
该专利属于国际商业机器公司;国家科研中心所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司;国家科研中心授权不得商用。

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