温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明首先涉及一种用于在多个基质（5）上分别沉积至少一个层、尤其是半导体层的方法，其中，在覆层设备（1）内，多个、尤其是构造相同的工艺室（2）由一个公共的气体供给装置（11）供应工艺气体，所述工艺气体分别由一个气体引入机构（3）引入到工艺室...
该专利属于艾克斯特朗欧洲公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾克斯特朗欧洲公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。