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本发明提供了一种光子晶体结构的发光二级管，该发光二级管自下至上顺序设置有衬底（101）、缓冲层（102）、n型GaN外延层（103）、InGaN/GaN多量子阱的有源发光层（105）、p型GaN外延层（106）、p型超晶格结构（107）、透...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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