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本发明涉及一种I-III-VI族材料双结薄膜太阳电池的制备方法，步骤包括：衬底上依次制备背电极Mo、底电池p型吸收层、底电池n型缓冲层、底电池本征窗口层、连接层、顶电池p型吸收层、顶电池n型缓冲层、顶电池本征窗口层、顶电池导电窗口层和电极层...
该专利属于中国电子科技集团公司第十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十八研究所授权不得商用。

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