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本发明公开了一种实现晶体硅电池组件电位诱发衰减合格的工艺，通过在晶体硅基体正面形成叠层复合膜的方式，实现晶体硅电池组件电位诱发衰减合格，具体步骤是：选取经过前处理的晶体硅基体，先采用管式PECVD工艺先在晶体硅基体正面沉积形成第一介质膜Si...
该专利属于晶澳太阳能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶澳太阳能有限公司授权不得商用。

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