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本发明公开了一种非通孔连接的铜互连方法，其包括形成下层铜金属层，并淀积一层介质膜；光刻，形成光刻胶掩蔽部分和无光刻胶掩蔽部分；将无光刻胶掩蔽部分的介质膜刻开；刻蚀或腐蚀介质膜刻开部分处的下层铜金属层；淀积金属层间膜；光刻，定义出具有沟槽的上...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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