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本发明提供一种硅纳米线阵列的制备方法，包括：提供一个轻掺杂的硅衬底；依次外延生长一层第一掺杂浓度的硅层和一层第二掺杂浓度的硅层，并重复上述步骤2遍；光刻定义硅纳米线以及硅纳米线支撑区域的图形；刻蚀所述单晶硅衬底上第一和第二掺杂浓度的硅层；经...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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