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本发明公开了一种氮化镓（GaN）基高压发光二极管（LED）制造工艺中的隔离填充制作方法，包括：在衬底上形成N型氮化镓层后，进行第一次N型氮化镓层刻蚀以形成沟槽结构并在沟槽结构中形成第一隔离绝缘层；在所述发光二级管制造过程中，形成P型氮化镓层...
该专利属于无锡华润华晶微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润华晶微电子有限公司授权不得商用。

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