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本实用新型提供了一种耗尽型功率半导体器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的第二掺杂类型的阱区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，所述阱区的表面具有第一掺杂类型的反型层；依次位于所述外延...
该专利属于杭州士兰微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰微电子股份有限公司授权不得商用。

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