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一种电容式麦克风的薄膜结构,包括:基底,位于所述基底上的复合多晶硅层,所述复合多晶硅层至少包括一层掺杂多晶硅层及一层与所述掺杂多晶硅层不同层的未掺杂多晶硅层。本发明还提供一种电容式麦克风的薄膜结构的形成方法。通过所述掺杂多晶硅层与未掺杂多晶...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种电容式麦克风的薄膜结构,包括:基底,位于所述基底上的复合多晶硅层,所述复合多晶硅层至少包括一层掺杂多晶硅层及一层与所述掺杂多晶硅层不同层的未掺杂多晶硅层。本发明还提供一种电容式麦克风的薄膜结构的形成方法。通过所述掺杂多晶硅层与未掺杂多晶...