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本发明涉及一种钝化半导体接触表面的功率半导体器件结构，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第一导电类型发射区，第一导电类型漂移区正面设栅氧化层，栅氧化层上设多晶栅，在第二导电类型基区上设有...
该专利属于江苏物联网研究发展中心所有，仅供学习研究参考，未经过江苏物联网研究发展中心授权不得商用。

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