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本发明公开了一种制作鳍式场效应管(FinFET)的翅片结构方法，采用石墨烯作为制作翅片结构的材料，相比于现有技术采用硅作为翅片结构，其不会热能释放FinFET70％～80％的能量，因此，可以不使翅片结构以热能的方式释放能量，提高FinFET...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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