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本发明涉及一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法，借助电化学工作站三电极体系，通过将半导体纳米晶分散在溶剂中然后滴覆在工作电极(6)表面形成薄膜，在惰性气体保护下对半导体纳米晶的电化学性能进行测试，并提取纳米晶发生氧...
该专利属于华东理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东理工大学授权不得商用。

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