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本发明涉及一种铟一锡一氧化物一模制体的制造方法，其步骤为：ａ．将铟－锡一氧化物一粉末充填放第一模中；ｂ．将该铟－锡一氧化物一粉末在至少１００ＭＰａ的压力下冷压；Ｃ．将从第一模中脱出的冷压块置于第二个模中的陶瓷粉末之中；ｄ．将第二个模进行气密...
该专利属于W.C.贺利氏股份有限两合公司所有，仅供学习研究参考，未经过W.C.贺利氏股份有限两合公司授权不得商用。

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