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本发明公开一种选择性发射极电池片二氧化硅膜的制作方法，它包括以下步骤：(1)硅片浸入在硅片硝酸溶液，硝酸浓度为65~70%，浸泡3-5min，浸泡温度恒定8℃，利用硝酸的氧化性，在硅片表面反应生成二氧化硅，同时反应副产物氮氧化物与水结合又产...该专利属于东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司授权不得商用。