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一种自发生长金属纳米晶颗粒的P/N型叠层阻变存储器制造技术
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下载一种自发生长金属纳米晶颗粒的P/N型叠层阻变存储器的技术资料
文档序号:8272572
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一种自发生长金属纳米晶颗粒的P/N型叠层阻变存储器,由下电极、诱导层I、诱导层II和上电极依次叠层构成,下电极为在正向电场作用下易于被氧化为金属离子的金属,诱导层I为N型氧化物,诱导层II为P型氧化物,上电极为在电场作用下性质稳定的金属或导...
该专利属于天津理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过天津理工大学授权不得商用。
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