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一种p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料，是采用层递式沉积方法制备的由宽带隙非晶硅碳薄膜和窄带隙p型纳米颗粒硅薄膜交替生长的多层材料，非晶硅碳薄膜的厚度为2-8nm，p型纳米颗粒硅薄膜的厚度为2-8nm，如此循环沉积多次，直至形成总厚...
该专利属于南开大学所有，仅供学习研究参考，未经过南开大学授权不得商用。

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