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本发明是一种用自氧化方法制备的金刚石金属-绝缘体-半导体结构场效应晶体管及制备法，其结构是在金刚石上是金刚石表面氢化后形成导电沟道，在导电沟道上是两个呈对称状的Au，两个呈对称状的Au间是Al2O3/TiO2复合介质薄膜，其上是栅金属。其制...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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