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本发明公开了一种基于SOI的TSV立体集成互连结构，包括阻挡层、侧壁绝缘层和导电填充物，以铜柱为导电填充物，在铜柱外壁依次包覆了阻挡层和侧壁绝缘层，铜柱纵向贯穿了SOI顶层硅、埋氧层和衬底硅，构成TSV通孔，埋氧层上方的TSV通孔直径为W1...该专利属于中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所授权不得商用。