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本发明公开了一种低成本TSV立体集成工艺方法，在TSV通孔侧壁绝缘层制作完成后直接进行制作阻挡层和种子层及电镀铜，与同传统TSV工艺流程相比，减少了涂胶、曝光、显影、CD测量、二氧化硅刻蚀、去胶6步工序，该流程在晶圆背面减薄时进行适度过减薄...该专利属于中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所授权不得商用。