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本发明公开了一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，包括如下步骤：（1）将硅片送入扩散炉；（2）升温过程；（3）恒温过程（可根据设备调整为多步恒温）；（4）第一次扩散（低温沉积）；（5）第一次低温分布；（6）第一次升温再分布；（7）第一次恒...
该专利属于湖南红太阳光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南红太阳光电科技有限公司授权不得商用。

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