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本发明公开了一种基于ZnO衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法，采用II-VI族族化合物半导体ZnO作为衬底，通过对ZnO衬底进行合理的预处理，调节生长压力，流量以及温度，实现石墨烯生长的最优化，在ZnO上面直接生长石墨烯，无需金属作为催化剂...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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