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本发明提供一种形成不对称场效晶体管的方法。该方法包括在半导体基板的顶上形成栅极结构，该栅极结构包括栅极堆叠和邻近于栅极堆叠侧壁的间隔体，且该栅极堆叠具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧；从栅极结构的第一侧在基板中执行成角度的离子注入，从而形成...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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