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本发明公开了一种适用于GCT器件的阶梯型平面终端结构，在芯片的中央区域为有源区，外围区域为终端区，有源区和终端区共同的n-衬底下方依次为n型FS层、p+阳极区及其阳极电极；在有源区中，n-基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n-基区相邻...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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