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本发明公开了一种CMOS影像传感器的后端平坦化方法及像元结构，该方法包括先将光敏元件区域上方的介质材料去除，形成深沟槽；再进行透光光敏材料的第一次填充；然后使用光刻板进行曝光显影；最后再填充高折射率透光材料实现深沟槽的平坦化；同时利用第二次...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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