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本发明公开一种半导体元件制造方法，该制造方法包括下列步骤：提供基板，基板上方已形成硅栅极结构；对硅栅极结构的硅表面进行改性工艺，进而将该硅栅极结构的硅表面特性由疏水性改变成亲水性；于该基板上方形成掩模结构；利用已进行完改性工艺的硅栅极结构与...
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