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本发明提供一种减少EEPROM的数据读写出错的方法，包括以下步骤：数组定义步骤，在SRAM定义一个缓冲数组?，在EEPROM中定义数据区数组和备份区数组，所述数据区数组和备份区数组中均包括CRC校验数据；向EEPROM中写数据的数据写入步骤...
该专利属于深圳市航盛电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市航盛电子股份有限公司授权不得商用。

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