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本发明公开了一种热载流子注入退化性能的评估方法。所述方法包括：在一半导体MOS器件的漏端、源端分别加载对应的漏端电压、源端电压，并依次从交流电压信号被均分形成的多份交流电压信号中选择一份交流电压信号加载到半导体MOS器件的栅端并保持预定加载...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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