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本发明提供一种掺镨钨酸镥钾激光晶体及其制备方法。该晶体属于单斜晶系,空间群为C2/m,晶胞参数为,β=130.68°,,Z=4,Dc=4.63?g/cm3。该晶体可采用助熔剂法生长。其吸收光谱在451nm处呈现很大的吸收,吸收截面达到74....该专利属于中国科学院福建物质结构研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院福建物质结构研究所授权不得商用。
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本发明提供一种掺镨钨酸镥钾激光晶体及其制备方法。该晶体属于单斜晶系,空间群为C2/m,晶胞参数为,β=130.68°,,Z=4,Dc=4.63?g/cm3。该晶体可采用助熔剂法生长。其吸收光谱在451nm处呈现很大的吸收,吸收截面达到74....