温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型公开一种垂直式碳化硅高温氧化装置，其包括：双层石英管嵌套结构，其包括外层石英管及镶嵌于外层石英管中的内层石英管，其中，该内、外层石英管之间形成一环形空腔，双层石英管嵌套结构两端分别通过一密封结构固定装配，令内、外层石英管之间相互隔...
该专利属于东莞市天域半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市天域半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。