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本发明公开了一种化学气相淀积硅外延生长方法，将基片传入工艺腔体，通入氢气净化，然后使压力控制到第一压力，使基片温度升高到第一温度，以第一流量通入氢气并持续第一时间进行烘烤；然后使基片温度降低到第二温度，将压力升高为第二压力，将向通入氢气的流...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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