下载垂直晶体管相变存储器的技术资料

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本文中描述垂直晶体管相变存储器及处理相变存储器的方法。一种或一种以上方法包含:在垂直晶体管的至少一部分上形成电介质;在所述电介质上形成电极;及在所述电极的一侧的一部分上且在所述电介质的一侧的一部分上形成沿着所述电极及所述电介质延伸成与所述垂...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。

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