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本发明提供了一种具有低RA但高MR比的磁阻效应元件的制造方法以及制造设备。通过在成膜成所述MgO层的室内设置的构件（第一成膜室21内部的成膜室内壁37、遮护板36的内壁、隔板22和遮挡体等）的表面上附着有对氧和水等氧化性气体的吸气效果大的物...
该专利属于佳能安内华股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佳能安内华股份有限公司授权不得商用。

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