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本发明公开了一种有效提高LED侧面出光的外延结构及其制造方法，其包括采用GaN/AlGaN超晶格结构来替代普通GaN外延层，该半导体外延器件外延层由下往上依次为蓝宝石衬底、缓冲层、N型层、发光层、GaN/AlGaN超晶格和P型层，其中GaN...
该专利属于聚灿光电科技(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技(苏州)有限公司授权不得商用。

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