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本发明公开了一种提高GaN衬底使用效率的方法，包括如下步骤：1）使用GaN衬底以及气相沉积方法进行制造LED发光二极管外延，在外延生长开始时，外延一层1～50nm的InGaN异质材料层；2）继续外延n型掺杂的GaN缓冲层；并完成后续整个LE...
该专利属于聚灿光电科技(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技(苏州)有限公司授权不得商用。

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