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本发明涉及一种无损、无污染的纳米碳质薄膜的图形化方法，属于电子器件制备领域。该方法预先在基体材料上制备单、双层金属或金属担载陶瓷薄膜的图形，然后在该预图形化的基体上沉积纳米碳质薄膜，最后利用湿法刻蚀去除预制的单层金属图形直接剥离附着在其表面...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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