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本实用新型涉及一种半导体晶粒，具体地说是涉及一种致冷件上的晶粒，是一种半导体晶粒，包括晶粒本体，晶粒本体是三碲化二铋，所述的晶粒本体外边还有碲化铷层，所述的碲化铷层的厚度是0.1～0.01毫米，这样晶粒安装在致冷件上电能的转化效率高达87％...
该专利属于河南恒昌电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河南恒昌电子有限公司授权不得商用。

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