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一种AAO多孔纳米膜高容量电容制造技术
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文档序号:8182138
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本实用新型公开了一种AAO多孔纳米膜高容量电容,包括壳体、电介质、正电极、负电极、正极引脚和负极引脚,所述阳极氧化铝多孔纳米膜的层状结构的电介质包括底部的阻隔层和纳米多孔层,所述的阻隔层与正电极贴合。本实用新型提高了电容的容量,减小了大容量...
该专利属于安徽理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过安徽理工大学授权不得商用。
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