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一种使用氧化物半导体的半导体装置，其具有稳定的电特性和高可靠性。在具有氧化物半导体膜的底栅的晶体管的制造工序中，进行通过热处理的脱水化或脱氢化以及进行氧掺杂处理。具有受到通过热处理的脱水化或脱氢化以及氧掺杂处理的氧化物半导体膜的晶体管是具有...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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