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一种制造晶体管的方法，所述方法包括蚀刻栅极的第一侧，所述栅极包含形成在基板上的氧化物层及形成于所述氧化物层上的导电材料，所述蚀刻步骤移除所述导电材料的第一部分；注入掺杂区至所述基板内，使得所述掺杂区自我对准；以及蚀刻所述栅极的第二侧以移除所...
该专利属于沃特拉半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过沃特拉半导体公司授权不得商用。

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