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本发明涉及一种用于对衬底(5)进行反应性离子蚀刻的装置(1)，包含等离子体蚀刻区域(2)、钝化区域(3)和气体排出结构(7)，等离子体蚀刻区域(2)包括蚀刻气体供应设备(40)并且设置有用于激发等离子体(4)的等离子体产生结构(22)，并且...该专利属于荷兰应用自然科学研究组织TNO所有，仅供学习研究参考，未经过荷兰应用自然科学研究组织TNO授权不得商用。
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本发明涉及一种用于对衬底(5)进行反应性离子蚀刻的装置(1)，包含等离子体蚀刻区域(2)、钝化区域(3)和气体排出结构(7)，等离子体蚀刻区域(2)包括蚀刻气体供应设备(40)并且设置有用于激发等离子体(4)的等离子体产生结构(22)，并且...